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BLF189XRBS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLF189XRBS
廠商型號(hào)

BLF189XRBS

參數(shù)屬性

BLF189XRBS 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET SOT539 TRAY

功能描述

Power LDMOS transistor
RF MOSFET SOT539 TRAY

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

1.36702 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Ampleon安譜隆

中文名稱(chēng)

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 23:00:00

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BLF189XRBS規(guī)格書(shū)詳情

BLF189XRBS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF189XRBS晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 1900 W extremely rugged LDMOS power transistor for industrial pulsed applications in

the HF to 150 MHz band.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables class C operation and complete switch

off of the transistor

? Excellent ruggedness VSWR > 65 : 1

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF189XRBSU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    108MHz

  • 增益:

    26dB

  • 額定電流(安培):

    2.8μA

  • 功率 - 輸出:

    1900W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF MOSFET SOT539 TRAY

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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