BLF4G10LS-160,112_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠(chǎng)料號(hào):BLF4G10LS-160,112品牌:NXP USA Inc.

資料說(shuō)明:FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B

BLF4G10LS-160,112是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝SOT-502B的BLF4G10LS-160,112晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    blf4g10ls-160,112

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 資料說(shuō)明:

    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF4G10LS-160,112

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    894.2MHz

  • 增益:

    19.7dB

  • 額定電流(安培):

    15A

  • 功率 - 輸出:

    160W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B

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