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BLF4G20LS-110B分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF4G20LS-110B
廠商型號

BLF4G20LS-110B
參數屬性

BLF4G20LS-110B 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
功能描述

UHF power LDMOS transistor
封裝外殼

SOT-502B
文件大小

109.84 Kbytes
頁面數量

12 頁
生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-4 19:00:00
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BLF4G20LS-110B規(guī)格書詳情

General description

110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.

Features

■ Typical GSM EDGE performance at a frequency of 1930 MHz and 1990 MHz, a

supply voltage of 28 V and an IDq of 650 mA:

◆ Load power = 48 W (AV)

◆ Gain = 13.8 dB (typ)

◆ Efficiency = 38.5 (typ)

◆ ACPR400 = ?61 dBc (typ)

◆ ACPR600 = ?74 dBc (typ)

◆ EVMrms = 2.1 (typ)

■ Easy power control

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

Applications

■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier

applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.

產品屬性

  • 產品編號：

    BLF4G20LS-110B,112

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益：

    13.4dB

  • 額定電流（安培）：

    12A

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    SOT-502B

  • 供應商器件封裝：

    SOT502B

  • 描述：

    FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B

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