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BLF6G10-135RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10-135RN
廠商型號

BLF6G10-135RN

參數(shù)屬性

BLF6G10-135RN 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 11:18:00

BLF6G10-135RN規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G10-135RN,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    21dB

  • 額定電流(安培):

    32A

  • 功率 - 輸出:

    26.5W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
22+
SOD
9000
原裝正品
詢價
PHILIPPNES
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
NXP
1922+
8600
萊克訊原廠貨源每一片都來自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多
詢價
NXP/恩智浦
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
NXP
23+
提供BOM配單服務(wù)
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價
NXP高頻管射頻功放管
22+23+
SOD
44382
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價
Ampleon USA Inc.
22+
LDMOST
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
Ampleon USA Inc.
21+
LDMOST
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價
NXP高頻管射頻功放管
SOD
3200
原裝長期供貨!
詢價
NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價