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BLF6G20-180P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLF6G20-180P
廠商型號(hào)

BLF6G20-180P

參數(shù)屬性

BLF6G20-180P 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A

功能描述

UHF power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-539A

文件大小

49.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Philips飛利浦

中文名稱(chēng)

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 15:20:00

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BLF6G20-180P規(guī)格書(shū)詳情

General description

180 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.

Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 1805 MHz and 1880 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1600 mA:

◆ Average output power = 50 W

◆ Power gain = 17.5 dB (typ)

◆ Efficiency = 27.5

◆ ACPR = ?35 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

Applications

■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF6G20-180PN,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    50W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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