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BLF7G22L-130分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF7G22L-130
廠商型號(hào)

BLF7G22L-130

參數(shù)屬性

BLF7G22L-130 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A

功能描述

Power LDMOS transistor

文件大小

180.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 22:58:00

BLF7G22L-130規(guī)格書詳情

General description

130 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2000 MHz to 2200 MHz.

Features and benefits

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Low Rth providing excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

■ Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability

■ Internally matched for ease of use

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 2000 MHz to 2200 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF7G22L-130,118

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    28A

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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