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BLF8G10LS-300P

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF8G10LS-300P_15

Power LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF8G10LS-300PJ

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOT-539B 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF8G10LS-300PU

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOT-539B 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

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更多BLF8G10LS-300P供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 11:55:00