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BLL8H1214L-250

LDMOS L-band radar power transistor

Generaldescription 250WLDMOSpowertransistorintendedforL-bandradarapplicationsinthe1.2GHzto 1.4GHzrange. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegrateddualsideESDprotection ?Highflexibilitywithrespecttopulseformats ?Excellentruggedness ?Highefficienc

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLL8H1214L-250_15

LDMOS L-band radar power transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLL8H1214L-250U

Package:SOT-502A;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BLL8H1214L-250供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00