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BLP05H6110XRG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLP05H6110XRG
廠商型號(hào)

BLP05H6110XRG

參數(shù)屬性

BLP05H6110XRG 封裝/外殼為4-BESOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

文件大小

1.37699 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 17:12:00

BLP05H6110XRG規(guī)格書(shū)詳情

BLP05H6110XRG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP05H6110XRG晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 110 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial

applications in the HF to 600 MHz band.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated double sided ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLP05H6110XRGY

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    108MHz

  • 增益:

    27dB

  • 功率 - 輸出:

    110W

  • 封裝/外殼:

    4-BESOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-HSOP

  • 描述:

    RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Ampleon USA Inc.
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13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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Ampleon USA Inc.
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4-BESOP(0.173 4.40mm 寬)
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Ampleon USA Inc.
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