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BLP15M9S70G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLP15M9S70G
廠商型號(hào)

BLP15M9S70G

參數(shù)屬性

BLP15M9S70G 封裝/外殼為SOT-1483-1;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP

文件大小

1.07013 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Ampleon安譜隆

中文名稱(chēng)

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-22 20:00:00

BLP15M9S70G規(guī)格書(shū)詳情

BLP15M9S70G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP15M9S70G晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 70 W general purpose LDMOS RF power transistor for broadcast and ISM applications

in HF to 2 GHz band.

Features and benefits

? High efficiency

? Integrated dual sided ESD protection

? Excellent ruggedness

? High power gain

? Excellent reliability

? Easy power control

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

? RF power amplifiers for CW applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLP15M9S70GZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    1.3GHz

  • 增益:

    23.5dB

  • 額定電流(安培):

    1.4μA

  • 功率 - 輸出:

    70W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1483-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT1483-1

  • 描述:

    BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MURATA/村田
23+
NA/
18250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢(xún)價(jià)
AMPLEOM
2年內(nèi)
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16000
英博爾原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商
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