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BLP27M810分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP27M810
廠商型號

BLP27M810

參數(shù)屬性

BLP27M810 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

封裝外殼

16-VDFN 裸焊盤

文件大小

1.07729 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 16:30:00

BLP27M810規(guī)格書詳情

BLP27M810屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP27M810晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

10 W LDMOS power transistor for broadcast and Industrial, Scientific and Medical (ISM)

applications at frequencies from HF to 2700 MHz.

The BLP27M810 driver is designed for high power CW applications and is assembled in a

high performance thermally enhanced plastic package.

Features and benefits

? High efficiency

? High power gain

? Excellent ruggedness

? Excellent thermal stability

? Integrated ESD protection

? Designed for broadband operation (HF to 2700 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Broadcast and Industrial, Scientific and Medical applications in the frequency range

from HF to 2700 MHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP27M810Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    2W

  • 封裝/外殼:

    16-VDFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-HVSON(6x4)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

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