BLP35M805分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLP35M805 |
| 參數(shù)屬性 | BLP35M805 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | 16-VDFN 裸焊盤 |
| 文件大小 |
1.09916 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 17:09:00 |
BLP35M805規(guī)格書詳情
BLP35M805屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP35M805晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
5 W LDMOS power transistor for broadcast, ISM and A&D applications at frequencies
from HF to 3500 MHz.
The BLP35M805 driver is designed for high power CW applications and is assembled in a
high performance thermally enhanced plastic package.
Features and benefits
? High efficiency
? High power gain
? Excellent ruggedness
? Excellent thermal stability
? Integrated ESD protection
? Designed for broadband operation (HF to 3500 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Broadcast, ISM and A&D applications in the frequency range from HF to 3500 MHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLP35M805Z
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.14GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 輸出：
750mW
- 封裝/外殼：
16-VDFN 裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
16-HVSON（6x4）
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BELLING |
23+ |
NA |
19960 |
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詢價(jià) | ||
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MINI |
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23+ |
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詢價(jià) |
