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BLP7G22-10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP7G22-10
廠商型號

BLP7G22-10

參數(shù)屬性

BLP7G22-10 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 14:52:00

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BLP7G22-10規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLP7G22-10Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 輸出:

    2W

  • 封裝/外殼:

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-HVSON(6x4)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AMPLEON
23+
12-VFDF
1200
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
詢價
AMPLEON
22+
HVSON12
71738
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價
NXP
24+
SMD
5500
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談
詢價
NXP/恩智浦
23+
QFN
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
NXP
NA
1550
原盒原包裝現(xiàn)貨原裝假一罰十價優(yōu)
詢價
NXP(恩智浦)
23+
NA
6000
原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢
詢價
NXP/恩智浦
23+
QFN
8160
原廠原裝
詢價
AMPLEON
21+
HVSON12
1400
詢價
NXP/恩智浦
22+
QFN
10730
原裝正品
詢價
NXP/恩智浦
22+
QFN
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價