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BLS2731-110分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS2731-110
廠商型號(hào)

BLS2731-110

參數(shù)屬性

BLS2731-110 封裝/外殼為SOT-423A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

功能描述

Microwave power transistor

封裝外殼

SOT-423A

文件大小

89.66 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-21 20:00:00

BLS2731-110規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT423A) with the common base connected to the flange.

FEATURES

? Suitable for short and medium pulse applications

? Internal input and output matching networks for an easy circuit design

? Emitter ballasting resistors improve ruggedness

? Gold metallization ensures excellent reliability

? Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency

? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance.

APPLICATIONS

? Common base class-C pulsed power amplifiers for radar applications in the 2.7 to 3.1 GHz band.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLS2731-110,114

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    75V

  • 頻率 - 躍遷:

    3.1GHz

  • 增益:

    7dB

  • 功率 - 最大值:

    500W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 3A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    12A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-423A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 75V 3.1GHZ CDFM2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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