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BLS3135-20分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS3135-20
廠商型號

BLS3135-20
參數(shù)屬性

BLS3135-20 封裝/外殼為SOT-422A；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2
功能描述

Microwave power transistor
封裝外殼

SOT-422A
文件大小

69.85 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 13:58:00
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BLS3135-20規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT422A) with the common base connected to the flange.

FEATURES

? Suitable for short and medium pulse applications

? Internal input and output matching networks for an easy circuit design

? Emitter ballasting resistors improve ruggedness

? Gold metallization ensures excellent reliability

? Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency

? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance.

APPLICATIONS

? Common base class-C pulsed power amplifiers for radar applications in the 3.1 to 3.5 GHz range.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BLS3135-20,114

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    75V

  • 頻率 - 躍遷：

    3.5GHz

  • 增益：

    8dB

  • 功率 - 最大值：

    80W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 1.5A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    2A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-422A

  • 供應商器件封裝：

    CDFM2

  • 描述：

    RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
PHILIPS/飛利浦
24+
269
現(xiàn)貨供應
 詢價
NXP
23+
SMD
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
2017+
NA
28562
只做原裝正品假一賠十!
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NXP/恩智浦
23+
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NXP/恩智浦
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0629+PB
華爾泰電子商行
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NXP
23+
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7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
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NXP/恩智浦
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價

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