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BLS6G2731S-130分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BLS6G2731S-130 |
參數(shù)屬性 | BLS6G2731S-130 封裝/外殼為SOT-922-1;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 |
功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
封裝外殼 | SOT-922-1 |
文件大小 |
880.94 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-18 15:02:00 |
BLS6G2731S-130規(guī)格書詳情
BLS6G2731S-130屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS6G2731S-130晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
130 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz
range.
Features and benefits
? Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage
of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 300 μs with δ of 10 :
? Output power = 130 W
? Power gain = 12 dB
? Efficiency = 50
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? High flexibility with respect to pulse formats
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)
? Internally matched for ease of use
? Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
Applications
? S-band power amplifiers for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz frequency
range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLS6G2731S-130,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.7GHz ~ 3.1GHz
- 增益:
12dB
- 額定電流(安培):
33A
- 功率 - 輸出:
130W
- 封裝/外殼:
SOT-922-1
- 供應(yīng)商器件封裝:
CDFM2
- 描述:
RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
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