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BLS6G2731S-130分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS6G2731S-130
廠商型號

BLS6G2731S-130

參數(shù)屬性

BLS6G2731S-130 封裝/外殼為SOT-922-1;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

功能描述

LDMOS S-band radar power transistor
RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

封裝外殼

SOT-922-1

文件大小

880.94 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 15:02:00

BLS6G2731S-130規(guī)格書詳情

BLS6G2731S-130屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS6G2731S-130晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

130 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz

range.

Features and benefits

? Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage

of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 300 μs with δ of 10 :

? Output power = 130 W

? Power gain = 12 dB

? Efficiency = 50

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC

Applications

? S-band power amplifiers for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLS6G2731S-130,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.7GHz ~ 3.1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    33A

  • 功率 - 輸出:

    130W

  • 封裝/外殼:

    SOT-922-1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221

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