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BLS6G2735L-30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS6G2735L-30
廠商型號

BLS6G2735L-30

參數(shù)屬性

BLS6G2735L-30 封裝/外殼為SOT-1135A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A

功能描述

S-band LDMOS transistor
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A

封裝外殼

SOT-1135A

文件大小

1.62538 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 23:11:00

BLS6G2735L-30規(guī)格書詳情

BLS6G2735L-30屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS6G2735L-30晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

30 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from

2.7 GHz to 3.5 GHz.

Features and benefits

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.5 GHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? S-band radar applications in the frequency range 2.7 GHz to 3.5 GHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLS6G2735L-30,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1135A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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