首頁>BLS6G3135-120,112>詳情

BLS6G3135-120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 NXP/恩智浦

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    BLS6G3135-120

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NXP/恩智浦

  • 庫存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號：

    2022

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-17 17:22:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BLS6G3135-120品牌：NXP/恩智浦

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢

  • 芯片型號：

    BLS6G3135-120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱：

    恩智浦半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    84.41 kb

  • 資料說明：

    LDMOS S-Band radar power transistor

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BLS6G3135-120,112

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    7.2A

  • 功率 - 輸出：

    120W

  • 封裝/外殼：

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT502A

  • 描述：

    RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機：

    18229386512

  • 詢價：
  • 電話：

    18229386512

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

相近型號