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BLS6G3135-20分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS6G3135-20
廠商型號

BLS6G3135-20

參數(shù)屬性

BLS6G3135-20 封裝/外殼為SOT-608A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A

功能描述

LDMOS S-Band radar power transistor

封裝外殼

SOT-608A

文件大小

255.2 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-17 23:00:00

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BLS6G3135-20規(guī)格書詳情

General description

20 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.

Features and benefits

■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 3.1 GHz to 3.5 GHz, a supply voltage

of 32 V, an IDq of 50 mA, a tp of 300 μs and a δ of 10 :

◆ Output power = 20 W

◆ Power gain = 15.5 dB

◆ Efficiency = 45

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

■ S-Band power amplifiers for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLS6G3135-20,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 額定電流(安培):

    2.1A

  • 功率 - 輸出:

    20W

  • 封裝/外殼:

    SOT-608A

  • 供應商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
24+
NA/
3255
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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