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BLT80分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLT80
廠商型號

BLT80

參數(shù)屬性

BLT80 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-24 20:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BLT80

  • 別名:

    BLT80三極管、BLT80晶體管、BLT80晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.25A

  • 最大工作頻率:

    900MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-99

  • vtest:

    20

  • htest:

    900000000

  • atest:

    0.25

  • wtest:

    2

BLT80規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLT80,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    900MHz

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 150mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
22+
SOT223
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
PHILIPS/飛利浦
23+
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189
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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355
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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