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BLV10中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLV10
廠商型號

BLV10

功能描述

VHP power transistor

文件大小

115.23 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 19:10:00

晶體管資料

  • 型號:

    BLV10

  • 別名:

    BLV10三極管、BLV10晶體管、BLV10晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    36V

  • 最大電流允許值:

    1.5A

  • 最大工作頻率:

    175MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

    MRF221,

  • 最大耗散功率:

    8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-266

  • vtest:

    36

  • htest:

    175000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    8

BLV10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f.and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-voltageto 16,5 V.

It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap.All leads are isolated from the flange.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BLV10

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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