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BLV10中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLV10
廠商型號

BLV10
功能描述

VHP power transistor
文件大小

115.23 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導體】

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-3 20:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    BLV10

  • 別名：

    BLV10三極管、BLV10晶體管、BLV10晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    甚高頻 （VHF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    175MHZ

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號：

    MRF221,

  • 最大耗散功率：

    8W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-266

  • vtest：

    36

  • htest：

    175000000

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    8

BLV10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f.and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-voltageto 16,5 V.

It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap.All leads are isolated from the flange.

產品屬性

  • 型號：

    BLV10

  • 功能描述：

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置：

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    40

  • 最大工作頻率：

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    20 A

  • 功率耗散：

    250 W

  • 封裝/箱體：

    Case 211-11

  • 封裝：

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
23+
NA/
3456
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
KODENSHI
24+
SMD-6
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
PHILIP
23+
高頻管
750
專營高頻管模塊,全新原裝!
 詢價
MOT
24+
580
詢價
PHILIPS/飛利浦
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
BELING/上海貝嶺
24+
65230
詢價
PHILIPS
2018+
高頻管
6000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰
 詢價
PHILIPS/飛利浦
2021+
高頻管
100500
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 詢價
PHILIPS
23+
高頻管
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價

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