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BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIBLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: ?CommonEmitter ?PG=10dBat2.0W/860MHz ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: BLV30isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860Mhz FEATURES CommonEmitter PG=10dBat2.0W/860Mhz OmnigoldMetalizationSystem

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor

BLV30_06

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI

Advanced Semiconductor

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BLV30

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    1.5A

  • 最大工作頻率:

    224MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-56

  • vtest:

    60

  • htest:

    224000000

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    1.5

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BLV30

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全稱:

    ASI

  • 功能描述:

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多BLV30供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-6 10:30:00