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BLW96分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLW96
廠商型號

BLW96
參數(shù)屬性

BLW96 封裝/外殼為SOT-121B；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4
功能描述

HF/VHF power transistor
封裝外殼

SOT-121B
文件大小

89.59 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-22 22:50:00

晶體管資料

  • 型號：

    BLW96

  • 別名：

    BLW96三極管、BLW96晶體管、BLW96晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    調(diào)幅 （AM）_調(diào)頻 （FM）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    110V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    108MHZ

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    200W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-266

  • vtest：

    110

  • htest：

    108000000000

  • atest：

    12

  • wtest：

    200

BLW96規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance

stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Transistors are supplied in matched hFE groups.

The transistor has a 1?2 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BLW96/01,112

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    235MHz

  • 功率 - 最大值：

    340W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 7A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    12A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-121B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    CRFM4

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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