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CEM3407L	文件：628.62 Kbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5.1A,RDS(ON)=48mW@VGS=-10V. RDS(ON)=65mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=115mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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DMG3407SSN	文件：199.1 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?LoadSwitch ?DC-DCConverters ?PowerManagementFunctions Featuresa	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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更多BM3407供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 13:14:00

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