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BMF011MR12E1G3_V01中文資料基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BMF011MR12E1G3_V01
廠商型號(hào)

BMF011MR12E1G3_V01

功能描述

SiC MOSFET Module

文件大小

2.79888 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

BASICSEMI基本半導(dǎo)體

中文名稱

深圳基本半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

BMF011MR12E1G3_V01規(guī)格書詳情

Electrical Features

Low RDS(on)

High current density

Low inductance design

Low switching losses

Less susceptible to malfunction due to

high threshold voltage: VGS(th).typ = 4.0V

Built-in SiC schottky barrier diode

Zero Reverse Recovery from Diodes

Low diode forward voltage

Potential Applications

High Frequency converter/Inverters

DC-DC Converters

EV Chargers

UPS systems

Solar applications

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