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BQ2022集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ2022
廠商型號

BQ2022

參數(shù)屬性

BQ2022 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3

功能描述

1K-BIT SERIAL EPROM WITH SDQ INTERFACE
IC EPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

308.31 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 16:18:00

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BQ2022規(guī)格書詳情

BQ2022屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ2022存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ2022ADBZRG4

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EPROM

  • 技術:

    EPROM - OTP

  • 存儲容量:

    1Kb(256b x 4 頁)

  • 存儲器接口:

    單線

  • 電壓 - 供電:

    2.65V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -20°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    IC EPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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