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BQ4010MA-150集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BQ4010MA-150 |
參數(shù)屬性 | BQ4010MA-150 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
功能描述 | 8Kx8 Nonvolatile SRAM |
文件大小 |
758.28 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-15 16:42:00 |
BQ4010MA-150規(guī)格書詳情
BQ4010MA-150屬于集成電路(IC) > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4010MA-150存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BQ4010MA-150
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
64Kb(8K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
150ns
- 電壓 - 供電:
4.75V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-DIP 模塊(18.42x37.72)
- 描述:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
21+ |
65200 |
詢價 | ||||
TI |
24+ |
24 |
詢價 | ||||
TI |
23+ |
NA |
559 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
TexasInstruments |
2022 |
ICNVSRAM64KBIT150NS28DIP |
5058 |
原廠原裝正品,價格超越代理 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
22+ |
DIP-28 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
BENCHM |
22+ |
DIP |
5623 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
TI |
21+ |
DIP |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
23+/24+ |
28-DIP |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 | ||
BENCHM |
02+ |
DIP |
4 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
24+ |
28DIP |
18104 |
TI優(yōu)勢主營型號-原裝正品 |
詢價 |