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BQ4010MA-150集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4010MA-150
廠商型號

BQ4010MA-150

參數(shù)屬性

BQ4010MA-150 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

功能描述

8Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

文件大小

758.28 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 16:42:00

BQ4010MA-150規(guī)格書詳情

BQ4010MA-150屬于集成電路(IC) > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4010MA-150存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4010MA-150

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    64Kb(8K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    150ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    28-DIP 模塊(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/德州儀器
21+
65200
詢價
TI
24+
24
詢價
TI
23+
NA
559
專做原裝正品,假一罰百!
詢價
TexasInstruments
2022
ICNVSRAM64KBIT150NS28DIP
5058
原廠原裝正品,價格超越代理
詢價
TI/德州儀器
22+
DIP-28
9000
原裝正品
詢價
BENCHM
22+
DIP
5623
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
詢價
TI
21+
DIP
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價
Texas Instruments
23+/24+
28-DIP
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
BENCHM
02+
DIP
4
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
Texas Instruments
24+
28DIP
18104
TI優(yōu)勢主營型號-原裝正品
詢價