BQ4011MA-100_集成電路(IC) 存儲器-德州儀器

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  • 廠家型號:

    BQ4011MA-100

  • 制造商:

    TI1/德州儀器

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 包裝:

    管件

  • 安裝類型:

    通孔

  • 更新時間:

    2024-12-25 15:48:00

  • 詳細信息
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原廠料號:BQ4011MA-100品牌:Texas Instruments

資料說明:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

BQ4011MA-100是集成電路(IC) > 存儲器。制造商TI1/德州儀器生產封裝28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)的BQ4011MA-100存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    bq4011ma-100

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    TI1【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱:

    Texas Instruments

  • 資料說明:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    BQ4011MA-100

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應商器件封裝:

    28-DIP 模塊(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Texas Instruments
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