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BQ4011Y集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4011Y
廠商型號

BQ4011Y
參數(shù)屬性

BQ4011Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
功能描述

32Kx8 Nonvolatile SRAM
封裝外殼

28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
文件大小

755.04 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI【德州儀器】

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-3-12 11:48:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4011YMA-150

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    150ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-DIP 模塊（18.42x37.72）

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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