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BQ4011Y集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4011Y
廠商型號

BQ4011Y
參數(shù)屬性

BQ4011Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
功能描述

32 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
封裝外殼

28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
文件大小

353.95 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1【德州儀器】

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-2 9:20:00

BQ4011Y規(guī)格書詳情

BQ4011Y屬于集成電路（IC）的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4011Y存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4011YMA-150

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    150ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-DIP 模塊（18.42x37.72）

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI
23+
1888
詢價
BQ
2020+
DIP-28
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
TI/德州儀器
22+
DIP
18000
原裝正品
 詢價
TI
23+
NA
2
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理QQ1304306553
 詢價
BENCHMAR
23+
DIP
1231
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
TI
21+
28-DIP
36800
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
 詢價
TI
23+
DIP28
3000
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
 詢價
TI
2023+
DIP-28
5800
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣
 詢價
TI
2023+
3000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
 詢價
TI/TEXAS
23+
28-DIPMODUL
8931
詢價

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