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BQ4013YMA-120集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4013YMA-120
廠商型號

BQ4013YMA-120

參數(shù)屬性

BQ4013YMA-120 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

功能描述

128 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

封裝外殼

32-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

文件大小

336.41 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 22:50:00

BQ4013YMA-120規(guī)格書詳情

BQ4013YMA-120屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4013YMA-120存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4013YMA-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    120ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-DIP 模塊(18.42x42.8)

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

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