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BQ4014MB-120集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4014MB-120
廠商型號

BQ4014MB-120

參數(shù)屬性

BQ4014MB-120 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

功能描述

256Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

文件大小

803.27 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 18:16:00

BQ4014MB-120規(guī)格書詳情

BQ4014MB-120屬于集成電路(IC) > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4014MB-120存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4014MB-120

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    2Mb(256K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    120ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-DIP 模塊(18.42x52.96)

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Texas Instruments
21+
32-DIP 模塊(18.42x52.96)
56200
一級代理/放心采購
詢價
BENCHMAR
23+
DIP
1342
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
詢價
BENCHMARQ
ROHS
13352
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
BENCHMAR
23+
DIP
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
TI
21+
32DIP Module (18.42x52.96)
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
Texas Instruments
23+/24+
32-DIP
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
TI
23+
1888
詢價
TI
22+
32DIP Module (18.42x52.96)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
TexasInstruments
2022
ICNVSRAM2MBIT120NS32DIP
5058
原廠原裝正品,價格超越代理
詢價
BENCHMARQ
2403+
DIP32
6489
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