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BQ4014MB-120集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BQ4014MB-120 |
參數(shù)屬性 | BQ4014MB-120 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE |
功能描述 | 256Kx8 Nonvolatile SRAM |
文件大小 |
803.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-15 18:16:00 |
BQ4014MB-120規(guī)格書詳情
BQ4014MB-120屬于集成電路(IC) > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4014MB-120存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BQ4014MB-120
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
2Mb(256K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
120ns
- 電壓 - 供電:
4.75V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
32-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
32-DIP 模塊(18.42x52.96)
- 描述:
IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Texas Instruments |
21+ |
32-DIP 模塊(18.42x52.96) |
56200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
BENCHMAR |
23+ |
DIP |
1342 |
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
BENCHMARQ |
ROHS |
13352 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
BENCHMAR |
23+ |
DIP |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
TI |
21+ |
32DIP Module (18.42x52.96) |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
23+/24+ |
32-DIP |
8600 |
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
1888 |
詢價 | ||||
TI |
22+ |
32DIP Module (18.42x52.96) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
TexasInstruments |
2022 |
ICNVSRAM2MBIT120NS32DIP |
5058 |
原廠原裝正品,價格超越代理 |
詢價 | ||
BENCHMARQ |
2403+ |
DIP32 |
6489 |
原裝現(xiàn)貨熱賣!十年芯路!堅持! |
詢價 |