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BQ4014YMB-120 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 TI/德州儀器

BQ4014YMB-120參考圖片

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原廠料號(hào)：BQ4014YMB-120品牌：Texas Instruments

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BQ4014YMB-120是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Texas Instruments生產(chǎn)封裝32-DIP 模塊(18.42x52.96)/32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）的BQ4014YMB-120存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    BQ4014YMB-120

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TI【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 中文名稱：

    美國德州儀器公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    803.27 kb

  • 資料說明：

    256Kx8 Nonvolatile SRAM

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BQ4014YMB-120

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Mb（256K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-DIP 模塊（18.42x52.96）

  • 描述：

    IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    瀚佳科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13480654098/13827426716

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23915992/23140719

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北佳和A座2120

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