bq4015Y集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	bq4015Y
參數(shù)屬性	bq4015Y 封裝/外殼為32-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE
功能描述	512 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE
文件大小	359.66 Kbytes
頁面數(shù)量	15 頁
生產(chǎn)廠商	Texas Instruments
企業(yè)簡稱	TI1【德州儀器】
中文名稱	德州儀器官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2024-12-22 18:10:00

bq4015Y規(guī)格書詳情

bq4015Y屬于集成電路（IC）的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的bq4015Y存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BQ4015YMA-85
制造商：
Texas Instruments
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
NVSRAM
技術：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：
4Mb（512K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
85ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
32-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）
供應商器件封裝：
32-DIP 模塊（18.42x42.8）
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市華斯頓科技有限公司	BQ4015YMB-85	ti	22+23+	DIP	37663	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
綠盛電子(香港)有限公司	BQ4015YMA-70	TI	2018+		26976	代理原裝現(xiàn)貨/特價熱賣!	詢價
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齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BQ4015YMA-70	TI	23+	32DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	BQ4015YMB-85E	NA	24+		300	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
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