首頁>BQ4016>規(guī)格書詳情

BQ4016集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4016
廠商型號

BQ4016

參數(shù)屬性

BQ4016 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

功能描述

1024Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

文件大小

858.91 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-16 16:25:00

BQ4016規(guī)格書詳情

BQ4016屬于集成電路(IC) > 存儲器。美國德州儀器公司制造生產(chǎn)的BQ4016存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4016YMC-70

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-DIP 模塊

  • 描述:

    IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/TEXAS
23+
36-DIPModul
8931
詢價
TexasInstruments
2022
ICNVSRAM8MBIT70NS36DIP
5058
原廠原裝正品,價格超越代理
詢價
TI
23+
1888
詢價
Texas Instruments
23+/24+
36-DIP
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
TI/德州儀器
23+
DIP
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
NA
24+
60
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
TI
2015+
SOP/DIP
19889
一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!
詢價
Texas Instruments
23+
36-DIP 模塊18.42x52.96
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
Texas Instruments
23+
36-DIP 模塊18.42x52.96
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
TEXAS INSTRUMENTS
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價