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BR24G128FVT-3GE2集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BR24G128FVT-3GE2
廠商型號

BR24G128FVT-3GE2

參數(shù)屬性

BR24G128FVT-3GE2 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB

功能描述

I2C BUS EEPROM (2-Wire)
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB

文件大小

595.4 Kbytes

頁面數(shù)量

37

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-19 18:03:00

BR24G128FVT-3GE2規(guī)格書詳情

BR24G128FVT-3GE2屬于集成電路(IC) > 存儲器。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的BR24G128FVT-3GE2存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BR24G128FVT-3GE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    128Kb(16K x 8)

  • 存儲器接口:

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.6V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP-B

  • 描述:

    IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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