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BR24G512FVT-3AGE2 集成電路（IC）存儲器 ROHM/羅姆

BR24G512FVT-3AGE2參考圖片

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原廠料號：BR24G512FVT-3AGE2品牌：ROHM

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!

BR24G512FVT-3AGE2是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ROHM/Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）的BR24G512FVT-3AGE2存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    BR24G512FVT-3AGE2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ROHM【羅姆】詳情

  • 廠商全稱：

    Rohm

  • 中文名稱：

    羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    34 頁

  • 文件大?。?/span>

    874.08 kb

  • 資料說明：

    I2C BUS EEPROM (2-Wire)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BR24G512FVT-3AGE2

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    EEPROM

  • 技術(shù)：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    512Kb（64K x 8）

  • 存儲器接口：

    I2C

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    5ms

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-TSSOP-B

  • 描述：

    IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    柯小姐

  • 手機(jī)：

    18571346077

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88917652

  • 傳真：

    0755-82569753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

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