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BR34L02FVT-WE2集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BR34L02FVT-WE2
廠商型號

BR34L02FVT-WE2

參數(shù)屬性

BR34L02FVT-WE2 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為卷帶(TR)卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

功能描述

2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

封裝外殼

8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

文件大小

1.18778 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-26 9:20:00

BR34L02FVT-WE2規(guī)格書詳情

●DESCRIPTION

BR34L02-W is 2Kbit Serial I2C BUS Electrically Erasable PROM (based on Serial Presence Detect) for DRAM Memory Module

●FEATURES

256×8 bit architecture serial EEPROM

Wide operating voltage range (1.7V~5.5V)

Two wire serial interface

High reliability connection of Au pad and Au wire

Self-Timed Erase and Write Cycle

Page Write Function(16byte)

Write Protect Mode

Write Protect 1(Onetime Rom) : 00h~7Fh

Write Protect 2(Hardwire WP PIN) : 00h~FFh

Low Power consumption

Write ( 5V ) : 1.2mA (Typ.)

Read ( 5V ) : 0.2mA(Typ.)

Standby ( 5V ) : 0.1μA(Typ.)

DATA security

Write protect feature (WP pin)

Inhibit to WRITE at low VCC

Small package ------ SSOP-B8/TSSOP-B8

High reliability fine pattern CMOS technology

Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

Data retention : 40 years

Filtered inputs in SCL / SDA for noise suppression

Initial data FFh in all address

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BR34L02FVT-WE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    2Kb(256 x 8)

  • 存儲器接口:

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP-B

  • 描述:

    IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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