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BR93L76RFVJ-W集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BR93L76RFVJ-W
廠商型號

BR93L76RFVJ-W

參數(shù)屬性

BR93L76RFVJ-W 封裝/外殼為8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP

功能描述

Microwire BUS 8Kbit(512 x 16bit) EEPROM
IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP

文件大小

320.79 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 18:43:00

BR93L76RFVJ-W規(guī)格書詳情

ROHMs series of serial EEPROMs represent the highest level of reliability on the market. A double cell structure provides a failsafe method of data reliability, while a double reset function prevents data miswriting. In addition, gold pads and gold wires are used for internal connections, pushing the boundaries of reliability to the limit. BR93L□□-W Series are assort 1Kbit~16Kbit. BR93A□□-WM Series are possible to operate at 105℃ and are assorted with 1K~16Kbit. BR93H□□-WC Series are possible to operate at 125℃, are assorted with 2K~16Kbit.

BR93L76RFVJ-W屬于集成電路(IC) > 存儲器。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的BR93L76RFVJ-W存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BR93L76RFVJ-WE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    8Kb(512 x 16)

  • 存儲器接口:

    SPI

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.8V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP-BJ

  • 描述:

    IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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