矽萊克半導(dǎo)體|SIRECT

矽萊克半導(dǎo)體(Sirect Semiconductors Inc.)創(chuàng)立于2002年，核心技術(shù)及團(tuán)隊(duì)來自于歐美及臺(tái)灣功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，注冊(cè)總資本美金一千余萬元，主要從事半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)品研發(fā)與制造，包括蕭特基二極管(Schottky Barrier Diode)、快速二極管(Ultra Fast Recovery Diode)、恒流二極管(Current Regulative Diode, CRD)、LED熒光片(PIG)、瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor, TVS)、穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)、普通整流二極管(Standard Rectifier Diode)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 、創(chuàng)新型單相及三相橋式整流器(Bridge Rectifier)組件及各類整流功率模塊(Power Module)等，長(zhǎng)期與美國及歐洲功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行技術(shù)合作及交流，以電力電子領(lǐng)域之功率半導(dǎo)體為主要研究與發(fā)展方向，尤其專注于高效節(jié)能Trench制程蕭特基二極管、SGT技術(shù)MOSFET等產(chǎn)品，并正投入開發(fā)第三代功率半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)功率器件，擁有數(shù)十項(xiàng)國內(nèi)外發(fā)明及新型專利，以自有sirect品牌營銷市場(chǎng)近二十年，產(chǎn)品以高效率及高可靠性著稱，近年來并積極投資上游芯片設(shè)計(jì)及封測(cè)產(chǎn)業(yè)，完成多項(xiàng)專利產(chǎn)品開發(fā)及量產(chǎn)以及進(jìn)入第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)務(wù)。

公司產(chǎn)品中的超低正向壓降蕭特基二極管(Low Forward Voltage Drop-down Schottky Barrier Diode)，依制程特性主要區(qū)分為平面式(Planar)及溝槽式(Trench)兩大類，具有低損耗、高效率、高可靠性、超快交換速度以及低電磁干擾的優(yōu)點(diǎn)。近年來并積極投入SGT技術(shù)超低阻抗的中低壓MOSFET產(chǎn)品，已成功量產(chǎn)數(shù)十項(xiàng)常規(guī)規(guī)格產(chǎn)品并投放市場(chǎng)。上述產(chǎn)品主要運(yùn)用于高頻率、高效率電源管理運(yùn)用，如手機(jī)快速充電及消費(fèi)類電子、LED照明、太陽能、工業(yè)逆變器、UPS不斷電系統(tǒng)、網(wǎng)通、汽車電子、顯示器、電視及家電、工業(yè)及通信、云端及服務(wù)器等各類交換式電源供應(yīng)器(Switching-Mode Power Supply)及能源管理(Energy Management)領(lǐng)域，近二十年來持續(xù)服務(wù)歐美、日本、韓國、香港、臺(tái)灣及大陸等下游大型及上市企業(yè)客戶逾數(shù)百家，以高效節(jié)能及高可靠性著稱，以此做為企業(yè)持續(xù)發(fā)展的方向，并以追求更大幅度的能源管理節(jié)能效果做為企業(yè)發(fā)展目標(biāo)及使命，為節(jié)能減碳及綠能環(huán)保做出持續(xù)不斷的貢獻(xiàn)。

矽萊克半導(dǎo)體近年來陸續(xù)獲得多項(xiàng)創(chuàng)新性專利產(chǎn)品，于功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有重大意義，其中如串聯(lián)式功率因素校正(Power Factor Correction, PFC)升壓二極管封裝專利結(jié)構(gòu)。上述產(chǎn)品具有制造成本低廉、生產(chǎn)效率高、產(chǎn)品一致性高、可靠性高、大幅提升轉(zhuǎn)換效率以及售價(jià)相對(duì)低廉的多項(xiàng)重要優(yōu)勢(shì)，提供了一種更為合理的串聯(lián)(Tandem)封裝結(jié)構(gòu)，并計(jì)劃運(yùn)用于碳化硅(SiC)及氮化鎵(GaN)的封測(cè)領(lǐng)域，以加速第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體發(fā)展的速度與進(jìn)程。此外，已獲得美國及臺(tái)灣發(fā)明專利之單相及三相橋式整流器組件及其運(yùn)用方案，有效的提升了傳統(tǒng)橋式整流器以及功率整流模塊的可靠性以及功率密度，并大幅度降低了該類產(chǎn)品電路的使用空間以及成本，以該專利經(jīng)由全自動(dòng)化生產(chǎn)、極小型化的高功率密度器件，替代了傳統(tǒng)無法高度自動(dòng)化生產(chǎn)的舊型橋式整流器及中大型整流模塊，屬于全球首創(chuàng)、兼具高性價(jià)比與高可靠性的產(chǎn)品。為完成全球戰(zhàn)略布局，加速資本形成及資源整合，強(qiáng)化整體競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，深化研發(fā)能力及資源利用效率，公司近年來正逐步完成上游資源整合計(jì)劃，同時(shí)拓展產(chǎn)品廣度與深度，深化藍(lán)海專利產(chǎn)品發(fā)展，目前仍有多項(xiàng)專利產(chǎn)品正在進(jìn)行量產(chǎn)化階段，計(jì)劃以極具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的價(jià)格與性能，提供給電源管理設(shè)計(jì)者更多且更佳的高效率選擇方案。

經(jīng)營產(chǎn)品

肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)、快速二極管(Ultra Fast Recovery Diode)、恒流二極管(Current Regulative Diode, CRD)、LED熒光片(PIG)、瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor, TVS)、穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)、普通整流二極管(Standard Rectifier Diode)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 、創(chuàng)新型單相及三相橋式整流器(Bridge Rectifier)組件及各類整流功率模塊(Power Module)

應(yīng)用領(lǐng)域

消費(fèi)電子、電源管理、工業(yè)控制、自動(dòng)化設(shè)備、汽車、通信領(lǐng)域