超致半導(dǎo)體|SUPER

超致半導(dǎo)體成立于2015年，位于有“中國(guó)硅谷”之稱的上海張江高科技園區(qū)，擁有一支功率半導(dǎo)體器件從業(yè)經(jīng)驗(yàn)超過(guò)15年的設(shè)計(jì)與運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)。是全球首家超結(jié)IGBT器件原廠，也是國(guó)內(nèi)首家多層外延超結(jié)MOS原廠。公司專注功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和創(chuàng)新，產(chǎn)品涵蓋范圍廣，包括高壓超結(jié)MOS、中低壓SGT-MOS、超結(jié)IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD等。公司產(chǎn)品定位高端，高壓MOS采用國(guó)際主流的多層外延工藝，在性能和可靠性等方面得到市場(chǎng)的充分肯定，且在主要應(yīng)用領(lǐng)域服務(wù)于頭部客戶，應(yīng)用范圍包括UPS、服務(wù)器電源、充電樁、OBC等工業(yè)市場(chǎng)。自2021年開始，公司在專業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和各項(xiàng)專利受到知名資本的青睞，超致半導(dǎo)體在公司規(guī)模、新產(chǎn)品的研發(fā)、專業(yè)人才的培養(yǎng)等各方面持續(xù)成長(zhǎng)，志在為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體事業(yè)貢獻(xiàn)力量。

我們的超結(jié)IGBT，在傳統(tǒng)IGBT的基礎(chǔ)上做了技術(shù)創(chuàng)新，關(guān)鍵參數(shù)均得到明顯提升，特點(diǎn)包括：更高的電流密度、更低的開關(guān)損耗、更小的封裝形式。

經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品

高壓超結(jié)MOS、中低壓SGT-MOS、超結(jié)IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD

應(yīng)用領(lǐng)域

光伏逆變、車載OBC、充電樁、UPS電源、工業(yè)電源、鋰電充電、電力電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域