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BTS100

SmartHighsidePowerSwitchTEMPFET(PchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

Features ●Pchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS100

SmartHighsidePowerSwitch

SmartHighsidePowerSwitch Features ●Pchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS100

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU100

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Highvoltagecapability APPLICATIONS ?Forhorizontaldeflectionoutputstage ofCTVreceiversandhighvoltalge, fastswitchingandindustrialapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU100

SiliconNPNPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BUH100

POWERTRANSISTOR10AMPERES700VOLTS100WATTS

SWITCHMODENPNSiliconPlanarPowerTransistor TheBUH100hasanapplicationspecificstate–of–artdiedesignedforusein100WattsHalogenelectronictransformers.Thispowertransistorisspecificallydesignedtosustainthelargeinrushcurrentduringeitherthestart–upconditionsor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BUH100

POWERTRANSISTOR10AMPERES700VOLTS100WATTS

SWITCHMODENPNSiliconPlanarPowerTransistor TheBUH100hasanapplicationspecificstate–of–artdiedesignedforusein100WattsHalogenelectronictransformers. Thispowertransistorisspecificallydesignedtosustainthelargeinrushcurrentduringeitherthestart–upconditions

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BUH100G

SWITCHMODENPNSiliconPlanarPowerTransistor

SWITCHMODENPNSiliconPlanarPowerTransistor TheBUH100Ghasanapplicationspecificstate?of?artdiedesignedforusein100WattsHalogenelectronictransformers. Thispowertransistorisspecificallydesignedtosustainthelargeinrushcurrentduringeitherthestartupconditionsorunder

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BUJ100

SiliconDiffusedPowerTransistor

GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorintheTO92envelopeintendedforuseincompactfluorescentlampsandlowpowerelectroniclightingballasts,convertersandinverters,etc.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUJ100

SiliconDiffusedPowerTransistor

GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorintheTO92envelopeintendedforuseincompactfluorescentlampsandlowpowerelectroniclightingballasts,convertersandinverters,etc.

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BS100

  • 功能描述：

    EURO-CASSETTE 100W 5.1V

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    電源 - 外部/內(nèi)部（非板載） >> DC DC Converters

  • 系列：

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    Quint

  • 類型：

    隔離

  • 輸入電壓：

    24V

  • 輸出：

    24V

  • 輸出數(shù)：

    1 輸出 - 1 @

  • 電流（最大）：

    24 VDC @ 50A 輸出 - 2 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 3 @

  • 電流（最大）：

    - 輸出 - 4 @

  • 電流（最大）：

    -

  • 功率（瓦特）：

    1200W

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 工作溫度：

    0°C ~ 40°C

  • 效率：

    -

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 尺寸/尺寸：

    4.33 L x 9.09 W x 6.14 H（110mm x 231mm x 156mm）

  • 包裝：

    散裝 電源（瓦特）-

  • 最大：

    1200W

  • 批準(zhǔn)：

    -

  • 其它名稱：

    277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH

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更多BS100供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 9:00:00

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