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BS170RLRM中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BS170RLRM
廠商型號

BS170RLRM

功能描述

Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET

文件大小

52.79 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:25:00

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BS170RLRM規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using ON Semiconductors proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 500mA DC. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Features

■ High density cell design for low RDS(ON).

■ Voltage controlled small signal switch.

■ Rugged and reliable.

■ High saturation current capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BS170RLRM

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 500mA N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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