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BSB028N06NN3

OptiMOS?? Power-MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB028N06NN3G

n-Channel Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB028N06NN3G

OptiMOS?? Power-MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BSB028N06NN3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
1602+
WDSON-2
20
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Infineon
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WDSON-2
9866
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INFINEON
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USON-6
25000
英飛凌MOS管全系列在售,終端可供樣品
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8000
只做原裝現(xiàn)貨
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MG-WDSON-2
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專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
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Infineon
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原裝正品現(xiàn)貨
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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更多BSB028N06NN3供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 14:06:00