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BSC010NE2LS中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSC010NE2LS
廠商型號

BSC010NE2LS

功能描述

OptiMOSTM Power-MOSFET

絲印標(biāo)識

010NE2LS

封裝外殼

PG-TDSON-8

文件大小

760.86 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 15:58:00

BSC010NE2LS規(guī)格書詳情

Features

? Optimized for high performance Buck converter

? Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V

? 100 avalanche tested

? Superior thermal resistance

? N-channel

? Qualified according to JEDEC1) for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BSC010NE2LS

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 25V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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