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BSC019N04LST分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BSC019N04LST
廠商型號(hào)

BSC019N04LST

參數(shù)屬性

BSC019N04LST 包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:DIFFERENTIATED MOSFETS

功能描述

OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V
DIFFERENTIATED MOSFETS

絲印標(biāo)識(shí)

019N04LT

封裝外殼

PG-TDSON-8

文件大小

1.33809 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-23 8:40:00

BSC019N04LST規(guī)格書(shū)詳情

BSC019N04LST屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSC019N04LST晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSC019N04LSTATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    28A(Ta),161A(Tc)

  • 描述:

    DIFFERENTIATED MOSFETS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
22+
NA
7000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
2223+
SUPERSO8
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)
詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
PG-TDSON-8
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
詢(xún)價(jià)
INFINEON
2016+
QFN
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
詢(xún)價(jià)
INFINE0N
21+
SuperSO8
32568
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢(xún)價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
NA/
8735
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢(xún)價(jià)
INFINEON
21+
TDSON-8
5000
全新原裝
詢(xún)價(jià)
INFINEON
24+
SuperSO8
8866
詢(xún)價(jià)