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BSC047N08NS3

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G

Marking：047N08NS；Package：TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G_12

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC047N08NS3G

Marking：047N08NS；Package：TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FDP047N08

N-ChannelPowerTrench?MOSFET75V,164A,4.7m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?RDS(on)=3.8m?(Typ.)@VGS=10V,ID=80A ?Fastswitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP047N08

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KU047N08P

N-chTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BSC047N08NS

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7748
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
25900
新到現(xiàn)貨,只有原裝
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價
Infineon(英飛凌)
22+
NA
7000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
 詢價
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
24+
TDSON-8
10000
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
Infineon(英飛凌)
2324+
NA
78920
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口
 詢價
更多BSC047N08NS供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 9:38:00

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