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BSC430N25NSFD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

BSC430N25NSFD
廠商型號

BSC430N25NSFD
參數(shù)屬性

BSC430N25NSFD 封裝/外殼為8-PowerTDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 250V TSON-8
功能描述

MOSFET OptiMOSTMFD Power-Transistor, 250 V
MOSFET N-CH 250V TSON-8
絲印標識

430N25F
封裝外殼

TSON-8-3 / 8-PowerTDFN
文件大小

942.85 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-1 14:30:00

BSC430N25NSFD規(guī)格書詳情

BSC430N25NSFD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSC430N25NSFD晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? 175°C rated

Product Validation:

Qualified for industrial applications according to the relevant tests of

JEDEC47/20/22

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BSC430N25NSFDATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    OptiMOS?, StrongIRFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    36A（Tc）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝：

    PG-TSON-8-3

  • 封裝/外殼：

    8-PowerTDFN

  • 描述：

    MOSFET N-CH 250V TSON-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TDSON-8
10000
原裝正品,渠道現(xiàn)貨
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