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BSC430N25NSFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

BSC430N25NSFD
廠商型號

BSC430N25NSFD

參數(shù)屬性

BSC430N25NSFD 封裝/外殼為8-PowerTDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 250V TSON-8

功能描述

MOSFET OptiMOSTMFD Power-Transistor, 250 V
MOSFET N-CH 250V TSON-8

絲印標(biāo)識

430N25F

封裝外殼

TSON-8-3 / 8-PowerTDFN

文件大小

942.85 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 22:59:00

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BSC430N25NSFD規(guī)格書詳情

BSC430N25NSFD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSC430N25NSFD晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? 175°C rated

Product Validation:

Qualified for industrial applications according to the relevant tests of

JEDEC47/20/22

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BSC430N25NSFDATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    OptiMOS?, StrongIRFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    36A(Tc)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TSON-8-3

  • 封裝/外殼:

    8-PowerTDFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 250V TSON-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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TDSON-8
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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