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BSC430N25NSFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BSC430N25NSFD |
參數(shù)屬性 | BSC430N25NSFD 封裝/外殼為8-PowerTDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 250V TSON-8 |
功能描述 | MOSFET OptiMOSTMFD Power-Transistor, 250 V |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TSON-8-3 / 8-PowerTDFN |
文件大小 |
942.85 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-11 22:59:00 |
人工找貨 | BSC430N25NSFD價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
BSC430N25NSFD規(guī)格書詳情
BSC430N25NSFD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSC430N25NSFD晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Features
? N-channel, normal level
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? Very low on-resistance RDS(on)
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Halogen-free according to IEC61249-2-21
? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
? 175°C rated
Product Validation:
Qualified for industrial applications according to the relevant tests of
JEDEC47/20/22
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BSC430N25NSFDATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 系列:
OptiMOS?, StrongIRFET?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型:
N 通道
- 技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
36A(Tc)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TSON-8-3
- 封裝/外殼:
8-PowerTDFN
- 描述:
MOSFET N-CH 250V TSON-8
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TDSON-8 |
7837 |
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