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BSD223P-H6327

INFINEON
SOT363

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON/英飛凌
SOT-363

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：深圳市鼎欣微電子有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON
SOT363

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

BSD223P-H6327

INFINEON/英飛凌
SOT-363

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司

BSD223P-H6327其他IC

INFINEON/英飛凌
貨真價實,假一罰十

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè)：深圳市云美電子科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSD223P H6327

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-363
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
 詢價
INFINEON
22+
SOT363
8000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
INFINEON
23+
SOT363
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
SOT363
7000
詢價
INFINEON/英飛凌
SOT-363
貨真價實,假一罰十
25000
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-363
31250
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-363
40256
本公司只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
Infineon
2020+
原廠封裝
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
英飛凌/INFINEON
22+
SOT363-6L
23667
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
SOT363
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
更多BSD223P H6327供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 15:16:00

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