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BSH111BK	文件：742.71 Kbytes Page：16 Pages	55V,N-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroStatic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSM111	文件：216.54 Kbytes Page：9 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) SIMOPAC?Module VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSM111AR	文件：216.54 Kbytes Page：9 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) SIMOPAC?Module VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BT111	文件：1.53422 Mbytes Page：54 Pages	BluetoothSmartReadyHCIModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT111	文件：2.68373 Mbytes Page：53 Pages	Bluetooth?SmartReadyHCIModule KEYFEATURES ?Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant ?SupportBluetoothclassic ?SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode ?Radiocapabilities ?Transmitpower:+8dBm ?Receiversensitivity:-89dBm ?Line-of-sightrange:100+meters ?Integratedantenna ?Interfaces ?HCIov	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BT111-A-HCI	文件：2.68373 Mbytes Page：53 Pages	Bluetooth?SmartReadyHCIModule KEYFEATURES ?Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant ?SupportBluetoothclassic ?SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode ?Radiocapabilities ?Transmitpower:+8dBm ?Receiversensitivity:-89dBm ?Line-of-sightrange:100+meters ?Integratedantenna ?Interfaces ?HCIov	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
BU111	文件：70.08 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU111	文件：125.84 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BUZ111	文件：120.03 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ111	文件：121.79 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ111S	文件：121.79 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ111S	文件：110.92 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUZ111S	文件：332.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.008Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUZ111SL	文件：120.03 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
CAPA111	文件：350.71 Kbytes Page：2 Pages	1DDR3SO-DIMMsupportsupto4GBmemorycapacity	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾訊科技艾訊股份有限公司	AXIOMTEK
CAPA111	文件：232.72 Kbytes Page：1 Pages	AMDA50MFCH	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾訊科技艾訊股份有限公司	AXIOMTEK
CDC111	文件：96.73 Kbytes Page：7 Pages	1-LINETO9-LINEDIFFERENTIALLVPECLCLOCKDRIVER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
CDC111FN	文件：96.73 Kbytes Page：7 Pages	1-LINETO9-LINEDIFFERENTIALLVPECLCLOCKDRIVER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
CDCLVP111	文件：619.27 Kbytes Page：15 Pages	LOW-VOLTAGE1:10LVPECLWITHSELECTABLEINPUTCLOCKDRIVER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
CDCLVP111	文件：570.54 Kbytes Page：23 Pages	Low-Voltage1:10LVPECLWithSelectableInputClockDriver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BSH111,215
功能描述：
MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BSH111,215	NEXP	24+	SOT-23	45000	熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BSH111,215	NXP/恩智浦	2019+PB	SOT-23	3500	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	BSH111,215	NXP/恩智浦	24+	SOT23	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BSH111,215	PHA	24+		6000		詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	BSH111,215	MINI	24+	SMD其他電子元	17	一級代理全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	BSH111,215	NXP	2020+		3850	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BSH111,215	NXP/恩智浦	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	BSH111,215	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	BSH111,215	NXP/恩智浦	2022	SOT-23	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	BSH111,215	NEXP	21+	SOT23	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)

更多BSH111,215供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:13:00

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